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Effect of Recombination Time on Efficiency and Frequency of Operation in GaAs TRAPATT Devices.

机译：重组时间对Gaas TRapaTT器件效率和工作频率的影响。

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The effect of carrier-recombination lifetimes on the performance of GaAs TRAPATT devices has been determined by a numerical simulation, and the results are presented. (Author)

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作者
Bauhahn, P. E.; Haddad, G. I.;
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作者单位

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年度 1973
页码 1-1
总页数 1
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
TRAPATT devices; Semiconductor diodes; Carriers(Semiconductors); Gallium arsenides; Avalanche diodes; Mathematical models; Frequency; Efficiency; Reprints; Carrier lifetime;

机译：TRapaTT器件;半导体二极管;载体（半导体）;砷化镓;雪崩二极管;数学模型;频率;效率;重印;载流子寿命;

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