Thin film storage devices ; Data storage systems ; Shift registers ; Garnet ; Feasibility studies ; Design ; Magnetic materials ; Magnetic properties ; Mathematical models ; Manufacturing methods ; Yttrium compounds ; Ferrates ; Silicon dioxide ; Integral equations;
机译:Ni-Mn-Ga单晶具有磁形状记忆效应的磁畴和双微结构
机译:表现出磁形状记忆效应的单晶Ni-Mn-Ga双晶界运动过程中磁畴结构的变化
机译:记忆与圆柱域相关的材料的时间和空间相关的松弛核的确定; 2。
机译:表现出磁形状记忆效应的单晶Ni-Mn-Ga的磁畴和孪生微观结构
机译:用于电磁应用的圆柱有限差分时间域的有效开发
机译:单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性质的完整集合
机译:单晶Ni-mn-Ga孪晶边界运动过程中磁畴结构的变化表现出磁记忆效应