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N-Type Doping of Indium Phosphide by Implantation.

机译：注入磷化铟的N型掺杂。

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作者
Davies, D. E.; Lorenzo, J. P.; Ryan, T. G.;
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作者单位

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年度 1977
页码 1-6
总页数 6
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Indium phosphides; Ion implantation; N type semiconductors; Doping; Sulfur; High temperature; Annealing; Silicon; Gallium arsenides; Reprints;

机译：磷化铟;离子注入; N型半导体;掺杂;硫;高温;退火;硅;砷化镓;重印;

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