Field effect transistors; Hall effect; Metal oxide semiconductors; Trapping(Charged particles); Reprints;
机译:通过在4H-SiC n沟道MOSFET上进行电测量来验证近界面陷阱模型
机译:在N沟道碳面4H-SiC MOSFET中使用霍尔测量和分压C-V测量进行MOS界面研究
机译:使用HALL效应测量测量MOSFET导通带边缘附近浅界面陷阱密度的简单方法
机译:在4H-SiC N沟道MOSFET上通过电测量验证近接口陷阱模型
机译:使用MOSFET结构的三端电容测量进行陷阱研究
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:77K和300K之间的N通道和P通道MOSFET中的基极电流:表征和模拟