Field effect transistors; Silicon; Oxides; Electrical insulation; Bipolar transistors; Recrystallization; Zone melting; Silicon dioxide; Reprints; Mosfets;
机译:使用先进的准分子激光横向凝固技术制造的薄膜晶体管的器件退化行为和多晶硅膜形态
机译:使用局限性横向选择性外延生长(CLSEG)在绝缘膜上的局部硅上制造的垂直双极晶体管
机译:镍硅化物诱导的横向结晶技术制造具有对称S / D的垂直N沟道多晶硅薄膜晶体管
机译:在区域熔化再结晶的多晶硅膜中制造的MOSFET中应力增强的迁移率
机译:一种新颖的原位技术,用于制造具有受控横向厚度调制的薄膜。
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:通过固相结晶获得的原位掺杂未氢化多晶硅薄膜制造的薄膜晶体管
机译:完全隔离的横向双极mOs晶体管在siO2上的区域熔化 - 再结晶si薄膜中制造