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Calculation of Intrinsic Carrier Concentration in Hg1-xCdxTe.

机译：Hg1-xCdxTe中固有载流子浓度的计算。

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作者
Hansen, G. L.; Schmit, J. L.;
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年度 1983
页码 1-3
总页数 3
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Cadmium tellurides; Charge carriers; Mercury compounds; Temperature; Energy gaps; Mathematical models; Reprints; Mercury cadmium tellurides; Concetration;

机译：碲化镉;电荷载体;汞化合物;温度;能隙;数学模型;重印;汞碲化镉; Concetration;

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机译：Hg1-xCdxTe中固有载流子浓度的计算

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