Semiconducting films; Semiconductors; Aluminum compounds; Nitrides; Molecular beams; Epitaxial growth; Deposition; Gallium arsenides; Substrates; Insulation; Auger electron spectroscopy; X ray diffraction; X ray photoelectron spectroscopy; Stoichiometry; Crystal structure; Capacitance; Voltage; Aluminum nitrides; Metal insulator semiconductors; Molecular beam epitaxy;
机译:在p型硅上具有纳米级氮化铝绝缘子的金属绝缘体半导体势垒
机译:由于无序引起的间隙状态,III-V族金属绝缘体半导体器件的累积电容频率色散
机译:以氮化硅为栅绝缘体的钒基-酞菁金属-绝缘体-半导体器件的界面和电性能的改善
机译:III-氮化物金属 - 绝缘 - 半导体场效应晶体管原子层沉积Al_2O_3沉积研究
机译:III-V族氮化物外延层和氮化铝镓/氮化镓异质结构的传输性质。
机译:氮化铝纳米填充剂对高压户外绝缘子应用的高温硫化硅橡胶的机械电气和热性能的影响
机译:基于立方III族氮化物的金属-绝缘体-半导体结构和AlGaN / GaN异质结