首页> 美国政府科技报告 >Novel High Power Type-I Quantum Well Cascade Diode Lasers.

【24h】

Novel High Power Type-I Quantum Well Cascade Diode Lasers.

机译：新型高功率I型量子阱级联二极管激光器。

获取原文

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Westerfeld, D.; Belenky, G.; Shterengas, L.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
页码 1-47
总页数 47
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. GaSb-based type-I quantum well cascade diode lasers emitting at nearly 2-μtm wavelength with digitally grown AlGaAsSb gradient layers [J] . Yi Zhang, Cheng-Ao Yang, Jin-Ming Shang, 中国物理：英文版 . 2021,第009期

机译：基于Gasb的类型-I量子阱级联二极管激光器以近2μTm波长发射，具有数字种植的藻类梯度层
2. External cavity type-I quantum well cascade diode lasers with a tuning range of 440 nm near 3 mu m [J] . Wang Meng, Hosoda Takashi, Jiang Jiang, Optics Letters . 2018,第18期

机译：外腔类型-i量子井级联二极管激光器，调谐范围为440nm，近3亩
3. Laterally coupled distributed feedback type-I quantum well cascade diode lasers emitting near 3.22 mu m [J] . Feng Tao, Hosoda Takashi, Shterengas Leon, Applied optics . 2017,第31期

机译：横向耦合分布式反馈类型-i量子井级联二极管激光器发射近3.22亩
4. High-Power 1.9 - 3.3 μm Type-I Quantum-Well Cascade Diode Lasers [C] . L. Shterengas, T. Hosoda, M. Wang, Novel in-plane semiconductor lasers XVI . 2017

机译：高功率1.9-3.3μmI型量子阱级联二极管激光器
5. High Power, Narrow Spectrum and Passively Mode-Locked GaSb-Based Type-I Quantum Well Cascade Diode Lasers [D] . Feng, Tao. 2018

机译：高功率，窄谱和被动模式锁定的基于型型I量子井级联二极管激光器
6. The influence of type-I and type-II triplet multiple quantum well structure on white organic light-emitting diodes [O] . Bo Zhao, Zisheng Su, Wenlian Li, 2013

机译：I型和II型三重态多量子阱结构对白色有机发光二极管的影响
7. Cascade Type-I Quantum Well GaSb-Based Diode Lasers [O] . Leon Shterengas, Gela Kipshidze, Takashi Hosoda, 2016

机译：级联I型量子阱Gasb基二极管激光器

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号