Semiconductors; Quantum electronics; Energy bands; Aluminum gallium arsenides; Gallium arsenides; Reprints;
机译:施加电场对AlN / GaN耦合双量子阱中子带间跃迁的吸收系数和子带能量距离的影响
机译:表面能和尺寸效应对窄纳米开关静态和动态拉入不稳定性的耦合作用
机译:窄带随机激励线性振荡器耦合非线性能量宿的响应方式
机译:周期性不对称耦合的三个窄量子阱中强度依赖的激子发射线宽变宽的观察
机译:窄通道融合光纤波分复用耦合器的制造与表征。
机译:一种基于功率谱子带能比熵的新型盲信号检测器
机译:窄带随机激励线性振荡器与非线性能量耦合的响应机制