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【24h】

Doping of ZnSe Using Gas Source Molecular Beam Epitaxy

机译:用气源分子束外延法掺杂Znse

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摘要

Gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) of ZnSe has been performed withemphasis in understanding the incorporation of substitutional donor and acceptor impurity species. Elemental Zn and hydrogen selenide provide the constituent species whereas ZnCl2 and nitrogen gas, combined with the use of a radio

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