Low power; Metals; Electronic equipment; Field effect transistors; Semiconductordevices; Circuits; Simulation; Two dimensional; Gallium arsenides; Thin films; Fabrication; Power equipment; Schottky barrier devices;
机译:低功率拟晶AlGaAs / InGaAs二维MESFET的击穿行为
机译:RTD / 2-D MESFET逻辑元件,用于紧凑型超低功耗电子设备
机译:离子注入的0.4 / splμ/ m宽的2-D MESFET用于低功率电子器件
机译:互补的BAW振荡器,可实现超低功耗和低相位噪声
机译:瞬态液相键合作为高温电力电子设备的连接技术。
机译:用于低功率低噪声二维电子的能量过滤电子传输结构
机译:采用两相动态FET逻辑的超低功耗Gaas mEsFET msI电路
机译:用于低功耗电子器件的互补2-D mEsFET。阶段1