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【24h】

Monte Carlo study on electron motion under mid-infrared free-electron-laser pulses

机译:蒙特卡罗研究中红外自由电子激光脉冲下的电子运动

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摘要

A full band Monte Carlo simulation for electron motion in a GaAs crystal under mid-infrared free-electron-laser (FEL) pulses is performed. Average electron energy and number of occurrence of impact ionization are calculated as a function of time for different wave-lengths of FEL pulses. The results are compared with the experimental observation of band-gap luminescence from a GaAs/AlGaAs asymmetric double-quantum-well structure.
机译:在中红外自由电子激光(FEL)脉冲下,对GaAs晶体中的电子运动进行了全频带Monte Carlo模拟。对于不同波长的FEL脉冲,计算平均电子能量和发生碰撞电离的次数作为时间的函数。将该结果与GaAs / AlGaAs非对称双量子阱结构的带隙发光的实验观察结果进行了比较。

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