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High-temperature spectral emissivity of SiC in the IR range

机译:红外范围内SiC的高温光谱发射率

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摘要

A three-layer optical model is proposed for the IR radiator based on SiC with the help of which the SiC emissivity is calculated at a temperature 1650 K and the bands in the 9-25-mu m region are interpreted.
机译:提出了一种基于SiC的红外辐射体的三层光学模型,借助该模型可以计算出在1650 K温度下的SiC发射率,并解释了9-25μm范围内的能带。

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