Erratum: Anomalous pseudocapacitive behavior of a nanostructured, mixed-valent manganese oxide film for electrical energy storage (Nano Letters (2012) 12:7 (3483-3490) (DOI: 10.1021l300984y)

Song M.-K.; Cheng S.; Chen H.; Qin W.; Nam K.-W.; Xu S.; Yang X.-Q.; Bongiorno A.; Lee J.; Bai J.; Tyson T.A.; Cho J.; Liu M.

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Erratum: Anomalous pseudocapacitive behavior of a nanostructured, mixed-valent manganese oxide film for electrical energy storage (Nano Letters (2012) 12:7 (3483-3490) (DOI: 10.1021l300984y)

机译：勘误表：用于电能存储的纳米结构混合价氧化锰薄膜的异常伪电容行为（Nano Letters（2012）12：7（3483-3490）（DOI：10.1021 / nl300984y）

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《Nano letters》 |2012年第8期|共1页
作者
Song M.-K.; Cheng S.; Chen H.; Qin W.; Nam K.-W.; Xu S.; Yang X.-Q.; Bongiorno A.; Lee J.; Bai J.; Tyson T.A.; Cho J.; Liu M.;
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正文语种 eng
中图分类特种结构材料;
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1. Erratum: Anomalous pseudocapacitive behavior of a nanostructured, mixed-valent manganese oxide film for electrical energy storage (Nano Letters (2012) 12:7 (3483-3490) (DOI: 10.1021l300984y) [J] . Song M.-K., Cheng S., Chen H., Nano letters . 2012,第8期

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