机译:纤锌矿相AlGaN / GaN HFET中缓冲层中的极化电荷和电子俘获的影响
polarization changes; HFET transistor; ensemble Monte Carlo; piezoelectric effect; wurtzite structure; FIELD-EFFECT TRANSISTORS; PIEZOELECTRIC POLARIZATION; HETEROSTRUCTURES;
机译:纤锌矿相AlGaN / GaN HFET中缓冲层中的极化电荷和电子俘获的影响
机译:在AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中,在缓冲层处捕获的关态应力诱导电子的行为
机译:对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的SINX和ALN钝化的研究:界面陷阱和极化电荷的作用
机译:陷阱和极化电荷对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管器件性能的影响
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:Algan / GaN高电子移动晶体管的SIN X和ALN钝化的研究:界面陷阱和极化电荷的作用
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应