Adaptive Ansteuerverfahren fur Hochleistungs-IGBTs mit einer digitalen Treibereinheit

摘要

Die vorliegende Arbeit stellt ein innovatives Ansteuerverfahren fur Hochleistungs-Halbleiter-Schalter, insbesondere fur Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT), vor. Das Ansteuerverfahren basiert auf der Messung elektrischer Signale mit einer digitalen Treibereinheit, Aus den digitalisierten Kurvenverlaufen der Schalttransienten konnen wahrend der verschiedenen Schaltphasen die arbeitspunkt-abhangigen Parameter extrahiert werden. Die Parameter konnen in einer adaptiven Regelung genutzt werden, um das Schaltverhalten des Halbleiters zu kontrollierer. Zur Optimierung des Schaltverhaltens ist nur sehr wenig A-priori-Wissen uber den Halbleiter notwendig, sodass aufwandige Simulationen und Messreihen zurjustierung des Treibers entfallen. Diese Methode ermoglicht es, die Halbleiter in einem Umrichtersystem unabhangig vom Arbeitspunkt optimal zu betreiben.