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p-Type Doping of Epitaxial Graphene by p-tert-Butylcalix[4]arene

机译:对叔丁基杯[4]芳烃对外延石墨烯的p型掺杂

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摘要

The Chemical Doping of epitaxial graphene (EG) due to p-tert-butylcalix[4]arene was investigated using high resolution photoemission spectroscopy (HRPES). The measured work function changes verified that increased adsorption of the p-tert-butylcalix[4]arene on EG showed p-type doping characteristics due to charge transfer from the graphene to the p-tert-butylcalix[4]arene through the hydroxyl group. A single oxygen bonding feature associated with the O 1s peak was clearly observed in the core-level spectra, indicating the presence of one equivalent adsorption state.
机译:使用高分辨率光发射光谱法(HRPES)研究了由于对叔丁基杯[4]芳烃引起的外延石墨烯(EG)的化学掺杂。测得的功函数变化证明,由于电荷从石墨烯通过羟基转移到对叔丁基杯[4]芳烃上,因此对叔丁基杯[4]芳烃在EG上的吸附增加,表现出p型掺杂特性。 。在核心能级谱中清楚地观察到与O 1s峰相关的单个氧键特征,表明存在一个等效的吸附态。

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