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Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/ZnTe Self-Assembled Quantum Dots

机译:CdTe / ZnTe自组装量子点的光致发光光谱

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摘要

We present photoluminescence (PL) measurements of two different, 3 monolayers and 12 monolayers (ml), CdTe self-assembled quantum dot (SAQD) samples. The spectra were recorded in the temperature range 20 K-300 K, with photoexcitation over the ZnTe barrier layer. PL spectra displayed two main emission bands. High-energy PL emission (E_(1)) is ZnTe LO like phonon-((omega)_(LO) velence 204.2 cm~(-1) (3 ml), (omega)_(LO) velence 207.3 cm~(-1) (12 ml)) assisted deexcitation. Dominant low-energy band (E_(2)) presents the direct deexcitation to ground state of the CdTe quantum dots.
机译:我们介绍了两种不同的3个单层和12个单层(ml)CdTe自组装量子点(SAQD)样品的光致发光(PL)测量。在20 K-300 K的温度范围内记录光谱,并在ZnTe阻挡层上进行光激发。 PL光谱显示了两个主要的发射带。高能PL发射(E_(1))是类似于声子的ZnTe LO-(ω_(LO)声速204.2 cm〜(-1)(3 ml),ω_(LO)声速207.3 cm〜( -1)(12 ml))辅助去磁。显性低能带(E_(2))将CdTe量子点的基态直接激发。

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