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Decomposition of C-60 molecules on Si(100)(2 x 1) surface

机译:Si(100)(2 x 1)表面上的C-60分子分解

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摘要

We have investigated the decomposition of C-60 molecules with low and high coverages on Si(100)(2 x 1) surface at elevated temperatures. We also investigated the decomposition of an isolated C-60 molecule. We employed molecular-dynamics simulation using a model potential. It has been found that C-60 decomposes on Si(100) surface after 1000 K in the case of low coverage (0.11), however in high coverage case (0.67), C-60 molecules decompose after 900 It. On the other hand, isolated C-60 molecule decomposes after 7500 K, interestingly it shows a phase change from 3D to 2D at higher temperatures. [References: 24]
机译:我们已经研究了在高温下Si(100)(2 x 1)表面上具有低和高覆盖率的C-60分子的分解。我们还研究了分离的C-60分子的分解。我们利用模型势来进行分子动力学模拟。已经发现,在低覆盖率(0.11)的情况下,C-60在Si(100)表面分解,但覆盖率低(0.11),但是在高覆盖率的情况(0.67)下,C-60分子在900 It之后分解。另一方面,分离的C-60分子在7500 K之后分解,有趣的是,它在较高温度下显示出从3D到2D的相变。 [参考:24]

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