トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明

摘要

トンネル注入半導体光増幅器（TI-SOA）は，活性層にキャリアのリザーバーを設置することで，誘導放出により減少したキャリアの高速な補償を可能とする．光入射時のキャリア減少の補償をトンネル注入構造の設計による活性層へのキャリア注入特性を制御することにより，TI-SOAの高速動作が可能になる．今回，数値解析によりTI-SOAのキャリアの位置的及びエネルギー的分布と注入領域構造のデバイス特性への影響を検討したので報告する．解析の結果として，従来のSOAに対してパターン効果の大幅な抑制の可能性があることを示す．