Flash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術

摘要

本格的なFeRAMの量産が始まろうとしている。 従って、メモリーの信頼性と容量の増大が今これらに求められている。 このためデザインルールは縮小され、キャパシターセルの立体化が促進されている。 それに伴い的確な成膜手段が必要とされている。 この要刺こ適う方法は段差被覆性に富むMOCVDである。 これに対する要求度は高く、その装置の需要は益々増加するものと考えられる。 本研究ではSTBi{sub}2Ta2O{sub}9（SBT）強誘電体薄膜を形成する2インチウエハ対応のMOCVD装置を開発した。 さらに、2インチウエハの研究成果を踏まえ．ながら化学工学的手法により8インチウエハ対応のMOCVD装置へとスケールアップし、FeRAMの量産化に向けたFlash-MOCVDのモデル装置を完成させた。 ここではFlash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術について概説するすることにする。