60GHz帯0.4V,5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC

摘要

本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器(LNA)について報告する．本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタル回路用に開発し，商用化している0.1μm InP HEMTである．試作した2段LNA MMICはゲート幅50μmのInP HEMTデバイス2個とコプレーナ線路で構成しており，チップサイズは0.9mm{sup}2である．0.4Vの動作電圧において，60GHzにおける雑音指数2.86dB，利得12.3dBを達成している．この時の消費電力は5.6mWと超低消費電力であった．また，入力IP3は-9dBm，3dB帯域幅は44.6GHz～67.2GHzと良好な特性を得た．本報告では，InP HEMTデバイスがミリ波高速無線通信用の低電圧·低消費電力MMICの実現に有効であることを示す．