InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作

摘要

10mA以下の低電流かつ-20dB以下の低クロストークな光スイッチング動作を目指してInAlGaAs/InAlAs/InP構造の化合物半導体ウェハによるマッハツェンダー干渉計(MZI)型多モード干渉(MMI)光スイッチ(MIPS-MZ)の設計及び作製を行った。 その結果、3.5mAの低電流かつ-20dB以下の低クロストークな光スイッチング動作が実験的に確認された。 さらに10MHzのパルス電流に対してナノ秒オーダーの高速な動的光スイッチング動作も確認された。