X-band 小型衛星通信用のGaN とGaAs 増幅器における非線形位相歪みの評価と多値変調への影響

摘要

近年，観測センサの技術向上に伴い，電力に限りのある小型衛星においても大容量ダウンリンクシステムが求められている. 電力増幅器を電力効率のよい領域で使用するためにはバックオフを小さくとればよいが，非線形ひずみが発生してしまう.本研究では，非線形位相ひずみAM-PM の理解を深めるために，FET の等価回路を用いたシミュレーションを行った.また，「ほどよし4 号機」に搭載された出力2W の高効率GaN-HEMT AB級パワーアンプ（PA）と，搭載を検討していたGaAs の PA を使用して，ゲートのバイアス電圧を変化させた時のひずみ特性を測定した. さらに，PA の非線形性が多値変調へ与える影響を調べるため，変調波をPA へ入力し非線形ひずみの影響を受けたRfより，コンスタレーション上でのEVM を評価したので報告する．