垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化·高信頼化技術

摘要

簡易なウエハプロセスにより，高速性·高信頼性を同時に可能とする垂直入射型アバランシェフォトダイオード（APD）について議論する．今回提案するAPDは，ウェットエッチングや蒸着·リフトオフによって作製可能であり，従来のAPD構造に用いられてきたイオン注入や選択拡散などの選択ドーピングプロセスを必要としない．作製したAPDは，素子側面の電界強度を十分に緩和し，またエッジ電界の影響がないことを実験的に確認した．また，作製したAPDにおいて，25Gbit／sにおける高感度動作を可能とする高速性·高感度性も同時に確認した．