昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長

摘要

紫外発光デバイス用、高周波·高出力電子デバイス用基板としてAlN単結晶が注目されている。 本研究では、昇華法を用いて、従来用いられているSiC(0001)面に加え、MOVPE法によりAlNコーティングされたSiC(0001)面、および他の面方位のSiC上へのAlN成長を試みたので報告する。