GHz帯微小磁界プローブにおける近傍電界の影響に関する検討

摘要

携帯電話などの無線通信機器において、装置内部の無線モジュール周辺とその他デジタル回路部が電磁干渉を起こし、不具合を生じる問題が増加している。 これらの問題に対し、電磁干渉経路の可視化を目的として近傍磁界測定技術は必須である。 しかし、現在主問題の一つとされているEMI規制超過間掛こ比べて非常に微弱な電磁界レベルを扱う為、高周波領域での磁界測定精度の向上が望まれる。 本報告では、OHz帯の高周波領域において近傍磁界測定時に精度低下要因となる近傍電界の影響を抑制する磁界プローブを作製し、同プローブの近傍電界及び近傍磁界に対する周波数特性に関して集中定数等価回路を用いて定量的な解析を行った。