InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス

摘要

電界アシスト自己堆積プロセス（FASA）を用いてInAsナノワイヤをSi基板上に堆積した。InAsナノワイヤ及びInAs/InPコアシェルナノワイヤに関して、FASA歩留まりの周波数依存性を比較した。また、FASAによりナノワイヤをクロス型に堆積することを試みた。さらに、nMOSFETとナノワイヤを用いたインバータを作製し、回路動作を確認した。