AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性

摘要

本研究では、GaN系面発光レーザー（VCSEL）における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方向とパッド電極の配置方向の依存性である。m軸方向に0.4°のオフ角を有するGaN基板上にVCSELを作製する際に、パッド電極の配置方向を基板オフ方向に垂直な場合と平行な場合の2種類を用意した。それぞれ20素子以上の偏波方向を測定した結果、垂直な場合は45の素子において、平行な場合は67の素子において基板オフ方向と偏波方向が一致した。全数でも半数以上の素子の偏波方向が基板オフ方向と一致することから、わずかな基板オフ角であっても、ある程度偏波方向が制御されることが分かった。