金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計

摘要

InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI（Multi-Mode Interference）による偏波面分離素子の設計を行った。素子の全長は600μm以下である。計算機シミュレーションの結果、Cバンド全体で、挿入損失0.7dB以下、偏波面消光比23dBが得られた。