逆回復特性と空乏層蓄積電荷を考慮したパワー·ダイオードモデルについての－検討

摘要

半導体パワーデバイスを用いたスイッチング回路において，ダイオードの逆回復現象は回路の損失を増大させ，高速なスイッチングを制限する原因となる．このため，ダイオードの逆回復特性のモデリングを行い，評価することは，回路設計において重要である．本稿では，種々のバイアス条件及び電流変化率に対して測定したパワー·ダイオードの逆回復特性と，別途測定した容量－電圧特性から，空乏層への電荷の出入りについて考察し，これをもとに逆回復特性のモデリングに向けた検討を行う.