Nb／Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性

土橋剛; 鈴木晋之介; 佐々木克孝Tsuyoshi DobashiShinnosuke SuzukiKatsutaka Sasaki

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Nb／Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性

机译：Nb/HF 2层阳极氧化膜电容器的电气特性

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Nb陽極酸化膜キャパシタの電気的特性を改善するために，Nb／Hf2層膜を陽極酸化したキャパシタを作製した結果，上層Nb／下層Hfの2層陽極酸化膜キャパシタでtanδを0.01以下の値に維持した比較的高誘電率なキャパシタを得ることができた．また，この2層構造のキャパシタは，300℃の熱処理温度でtanδが0.008程度まで低減される．

机译：为了改善Nb阳极氧化膜电容器的电气特性，制备了阳极氧化Nb/Hf两层膜得到的电容器，结果，上层Nb和下层Hf的两层阳极氧化膜电容器将介电常数相对较高的电容器保持在0.01以下．

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来源
《電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス》 |2003年第1期|89-91|共3页
作者
土橋剛; 鈴木晋之介; 佐々木克孝Tsuyoshi DobashiShinnosuke SuzukiKatsutaka Sasaki;
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作者单位

旭川工業高等専門学校電気工学科;

北見工業大学工学部機能材料工学科;

Asahikawa National College of Technology, Asahikawa-shi, 071-8142 JapanFaculty of Engineering, Kitami Institute of Technology, Kitami-shi, 090-8507 Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
Nb／Hf2層陽極酸化膜; 高誘電率材料; 薄膜キャパシタ; 損失特性;

机译：NB/HF 2层阳极氧化膜;高介电常数材料;薄膜电容器;损耗特性;

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