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ポッケルス効果と逆圧電効果を利用した縦型光変調素子の設計

机译:利用普克尔斯效应和逆压电效应的垂直光调制器件设计.

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摘要

本論文では,電気光学結晶を用いた縦型光変調素子の設計には,ポッケルス効果による屈折率変化と逆圧電効果による結晶長変化を考慮しなければならないことを述べる.両効果を考慮してLiNbO_3結晶を解析し,-60.15°Zカットの構成が最適であることを明らかにする.
机译:在本文中,我们描述了使用电光晶体的垂直光调制器件的设计必须考虑由于普克尔斯效应引起的折射率变化和由于逆压电效应LiNbO_3引起的晶体长度变化。

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