20-26GHz低消費電力CMOSアップコンバージョンミキサ

摘要

20-26GHz帯低消費電力アップコンバージョンミキサを90nmCMOSプロセスにより実現した。 シングルバランスドギルバートセルミキサにマーシャント式バランを用いることで入出力ともにシングルエンドとした。 RF周波数22.1GHzにおいて直流電源が1.2V、LO出力が5dBmのときに11.1mWの最大消費電力、2dBの変換利得を得た。 1dBコンプレッションポイントは-14.8dBmであった。 また20-26GHzの周波数帯域においてRFのリターンロスは10dB以上であった。 チップの面積は650μm×570μmであった。