60 GHz帯NRDガイトマイクロストリップ線路変換器の試作

摘要

高性能ミリ波集積回路に適したNRDガイドと、HEMTやHBT、或いはMMIC等の半導体素子装着に適したマイクロストリップ線路との変換器を60 GHz帯で作成している。ここで特に注意した点は、電磁界が比較的広がっているNRDガイドと、電磁界が集中しているマイクロストリップ線路の接続方法であり、NRDガイドとモード変換の容易な垂直ストリップ線路、及びマイクロストリップ線路と接続容易な同軸線路を併用した構造を提案した。 またマイクロストリップ線路を実装するパッケージは、この変換器を増幅器等の評価に応用することを念頭に置き、不要発振の起こりにくい構造を考案した。 試作した変換器の挿入損失は60 GHzを中心として4 GHzの帯域にわたり1 dB以下と良好な性能を得ることができた。 またこのマイクロストリップ線路にMMIC増幅器を実装した結果、1 GHzの帯域で順方向利得15 dB、逆方向利得-10 dBの性能が得られた。