25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ

摘要

バットジョイント集積技術を用いて、初めてGaInNAs系EA-DFBレーザを試作した。 作製した素子は、SMSR45dB以上のシングルモード発振(25～120℃)と、15dB以上の消光特性(25～100℃)を示した。 各温度においてEAバイアスを調整することで、25～100℃において2.5Gbpsで無温調で動作した。また素子容量を低減することで、10Gbps動作を実現した。