低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用

摘要

水ガラスを接着層として用いた化合物半導体に対する低温ウェーハボンディング技術を開発した。 また、本ウェーハボンディング技術を，チャネルの上下にゲートを対向して配したペアゲートFETと集積化パッケージング技術に応用した．試作したAlGaAs/InGaAsペアゲートHFETは良好な静特性を示し，上下のゲートが互いに独立してドレーン電流を制御可能であることを確認した．また，集積化パッケージング技術では，サファイア基板上にUTC-PDとCPW線を集積し，超高速電気信号を3mm以上波形劣化なく伝搬させることに成功した．これらは，従来にないユニークなデバイス機能をもつものであり，低温ウェーハボンディングにより初めて実現できる．