Wenn der richtige Gate-Treiber und eine passende Bias-Stromversorgung eingesetzt werden, lassen sich mit GaN-Bauelementen verschiedene Vorteile auf der Systemebene realisieren, wie etwa eine Schaltgeschwindigkeit von 150V/ns, reduzierte Schaltverluste und kleinere induktive Bauelemente. Geeignete Anwendungen finden sich in unterschiedlichen Hochleistungssystemen für den Industrie- und Automotive-Bereich. Integrierte GaN-L?sungen entsch?rfen eine Vielzahl der Herausforderungen auf der Bausteinebene, sodass die Konzentration beim Design vermehrt auf das System insgesamt gerichtet werden kann.
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