Si光変調器の高消光比

摘要

近年，実用化されつつあるデジタルコヒーレント光通信では高消光比を持つSi光変調器が求められている．本研究では消光比を減少させる要因を解決し，デジタルコヒーレント光通信での使用が可能な25dB以上の消光比を持つ高消光比Si光変調器の実現を目標とした．消光比を制限する要因としてSiのキャリアプラズマ効果に伴う吸収の増加，3dBカプラの製造誤差による分岐比の変動，TM偏光成分の混入が考えられる．これらの問題を解決するために熱光学式MZI光スイッチと偏光子を導入することで40dB以上の高い消光比を得ることに成功した．