Обсуждаются характерные особенности диссипации энергии от собственного поля транспортного тока при его стабильном проникновении в технический сверхпроводник. Рассмотрены режимы частичного и полного проникновения. Анализ диссипативных состояний сверхпроводника сопоставлен с результатами, следующими из теории, основанной на модели критического состояния. Показано, что модель критического состояния, согласно которой электрическое напряжение в сверхпроводнике при токах, меньших критического, отсутствует, занижает тепловыделение от собственного поля транспортного тока, а также не позволяет корректно рассчитывать потери энергии в сверхпроводниках с реальными вольт-амперными характеристиками в диапазоне докритических токов, которые могут существовать при полном проникновении тока внутрь сверхпроводника. Ошибка модели критического состояния зависит от характера нарастания вольт-амперной характеристики, скорости ввода тока, поперечного размера сверхпроводника, критической плотности тока. В то же время автомодельное и нульмерное приближения позволяют с удовлетворительной точностью найти потери энергии в сверхпроводниках с реальной вольт-амперной характеристикой от изменяющегося собственного поля транспортного тока как при его частичном, так и при полном проникновении.
展开▼
