Модификация стандартной производственной линии AI-BSF фотоэлектрических преобразователей до PERC с использованием PECVD

摘要

Проведено комплексное исследование физических и электрических свойств фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе казахстанского мультикристаллического кремния, так называемого солнечного качества. Применяемые методы исследования: 4-х точечный метод измерения сопротивления,метод микроволнового детектируемого фотопроводящего распада, метод индуцированного световым пучком тока, методы спектрометрического анализа коэффициентов отражения, пропускания и фотолюминесценции,сканирующая электронная микроскопия и метод измерения вольт-амперной характеристики. Изготовлены и проанализированы партии фотоэлектрических преобразователей с алюминиевым полем на тыльной поверхности (AI-BSF) и ФЭП с пассивированными эмиттерной и тыльной поверхностями (PERC) на основе казахстанского кремния. С целью повышения коэффициента полезного действия предложена модификация стандартной производственной линии A1-BSF до линии PERC с использованием метода ускоренного плазмой химического напыления из газовой фазы.