デバイスシミュレーターを用いた有機半導体中の電気伝導式の導出

摘要

有機半導体中の電流－電圧特性に関わる理論式をショットキー障壁接合での拡散モデルに基づく電荷注入式とプール·フレンケル移動度モデルにもとづく移動度式から導き出し，その計算結果を同じモデルとパラメーターを用いたデバイスシミュレーションの結果と比較し，この理論式の妥当性を検討した．注入障壁が高い場合は空間電荷による影響が少なく電界一定としてよいが，障壁が低くなると空間電荷による電界分布を考慮しなければならない．しかし，非常に低い障壁高さにおいても電界がゼロとなる領域はなく，一般的な空間電荷制限電流ではないことがわかった．