MEMSを用いたサージ光抑制器の開発

摘要

本報セはMEMS技術を用いたサージ光抑制器を提案する。 このサージ光抑制器は過失，あるいは故意に光通信ライン上流から投入された過大な光を感知し，通信ラインを遮断することにより下流の光素子の破損を防ぐことを目的としている。 構成としては，本装置はMEMSシャッタとフォトボル素子から成る。 通信サージ光の一部をフォトボル素子に分岐させることによって，フォトボル素子で発生した電圧を動力としてMEMSシャッタを駆動させる。これにより，サージ光抑制器は外部電源を必要としない無給電構造となっている。 本サージ光抑制器の初期挿入損失は，1.5dBである。 また，動作するサージ光レベルは10dBm (10mW)付近であり，パワーレベルをインラインにモニタしてMEMSシャッタを動作させる。この動作サージ光レベルは，フォトボルのアライメント調整などによって調整可能である。 この時のMEMSシャッタの消光比は，40dBである。 本サージ光抑制器はサージ光が鎮静した時にはフォトボルからの電圧供給が途絶えることから，通信ラインが自動的に回復する点も特徴的である。