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グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術

机译:グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術

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摘要

炭素六員環構造の単原子層からなるグラフェンは、その特異な電子構造のため物理実験のプラットホームとして興味深く、さらには高いキャリア移動度とドリフト速度を有するため、電子デバイス、配線、電極、透明導電シートを始めとして幅広い応用が期待されている。グラフェン自体の製造方法およびそれを用いたデバイス製造方法の研究開発とともに、グラフェン中の電子構造、電子輸送現象、電子緩和過程の基礎物理を理解し、高性能化に適したデバイス構造を明らかにする計算物理が非常に重要となる。本講演では、テラヘルツ応用を目指したグラフェンデバイス研究における計算機シミュレーション技術について報告する。

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