メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用

摘要

BOX層のウットエッチングにより形成した中空構造を有するSOIウエハと転写先基板とを純水を介して対向密着し，加熱蒸発の際に発生するメニスカス力を利用してSOI層を転写する技術を提案した．この技術を用いて作製したガラス基板（コーニング社製Eagle2000）およびプラスティック（PET）基板上のMOSFETは電界効果移動度1226および609cm~2V~(-1)s~(-1) の高い値を示し，本手法が低温プロセスで高性能デバイス作製に有効であることを実証した．