有機トランジスタのペンタセンパターニング技術

摘要

有機トランジスタへの適用を狙い、新たなペンタセンのパターニング技術について検討した。 エキシマレーザを用いたマスクによるペンタセンの直接パターニング技術では、ライン＆スペース2μmのパターニングが確認できた。 パターニング前後のトランジスタの静特性より、オン電流の低下は最大14％に留まった。 溶液プロセスによるインクジェットプリント法を用いたトランジスタ作製では、溶液にジクロロベンゼンを、取扱いを不活性ガス雰囲気、遮光環境としミ基板温度70℃で成膜することで、ペンタセン薄膜が形成でき、トランジスタ動作を得た。得られたトランジスタの電界効果移動度は2.7×10{sup}(-3)cm{sup}2/Vs であった。