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Direct growth of graphene pad on exfoliated hexagonal boron nitride surface

机译:直接生长石墨烯板脱落六方氮化硼表面

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摘要

A direct and metal layer-free growth of flat graphene pads on exfoliated hexagonal boron nitride substrate (h-BN) are demonstrated by atmospheric chemical vapour deposition (CVD) process. Round shape with high flatness graphene pads are grown in high yield (~95%) with a pad thickness of ~0.5 nm and homogenous diameter.
机译:直接和金属layer-free增长持平六方硼石墨烯垫在剥落了氮化硅衬底(h-BN)证明了大气化学汽相淀积(CVD)的过程。垫是生长在高收益(~ 95%)~ 0.5纳米的厚度和均匀的直径。

著录项

  • 来源
    《Nanoscale》 |2011年第8期|3089-3093|共5页
  • 作者单位

    Department of Chemistry and Division of Advanced Materials Science, Policing University of Science and Technology (POSTECH) San 31, Hyoja-Dong, Nam-Gu, Policing, 790-784, Korea.;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

    graphene; boron nitride; HexagonPAD;

    机译:None;

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