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摘要

（株）富士通研究所は、電子機器の低消費電力化技術として、 電源装置の電力損失を低減できる新構造の窒化ガリウム高 電子移動度トランジスタ（HEMT）を開発した。 同社は今回、2008年に開発した独自の3層キャップ構 造の窒化ガリウムHEMTに加え、ゲート電極直下部分のみ 正確に掘り込む技術と、ゲート電極構造に原子レベルの平 坦性をもつ酸化膜を用いた絶縁ゲート構造を採用した窒化 ガリウムHEMTを開発。