机译:结构研究进入F(4)TCNQ的新多晶型物:朝向增强半导体性能
Newcastle Univ Sch Nat &
Environm Sci Chem Bedson Bldg Newcastle Upon Tyne NE1 7RU Tyne &
Wear;
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polymorphism; F(4)TCNQ; charge transfer; pairwise interaction energies; crystal structure; semiconductor; quinodimethane;
机译:[FeIIICp * 2]?+ [TCNQ]?–(Cp * =五甲基环戊二烯; TCNQ = 7,7,8,8-四甲基-对-喹二甲烷)的顺磁和铁磁多晶型的压力依赖性增强的Tc和磁行为。
机译:[Fe〜(III)Cp _2]?〜+ [TCNQ]?〜-(Cp * =五甲基环戊二烯; TCNQ = 7,7,8,8-四氰基)的压力依赖性增强的Tc和磁性行为-对-喹二甲烷)
机译:涉及TCNQ和F(4)TCNQ自由基阴离子的电荷转移配合物的结构和光学研究
机译:Gaasi__P_P_X三元半导体化合物结构特性的研究
机译:扰动环境下半导体纳米晶体的光电和结构特性研究
机译:1:1电荷转移复合物DBTTF-TCNQ中的多态性及其对光学和电子性质的影响
机译:结构研究进入F4TCNQ的新多晶型物:朝向增强半导体性能
机译:GaN,alN和InN半导体的研究:结构,光学,电子和界面特性