(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響

宗像 誠; 本山 真潮; 八木 正昭

首页> 外文期刊>日本応用磁気学会誌 >(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響

【24h】

(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響

机译：（CoFeB） - （SiO_2）膜厚度渗透性的渗透性和基材在高电阻膜中的影响

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面目录资料

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

(CoFeB)-(SiO_2)膜をガラス基板およびポリイミド基板に作製し，それらの高周波透磁率特性を調べた結果,以下の知見を得た。 1)透磁率特性は膜厚に依存し，厚さ0.1～0.5 mu mの膜において有効な低損失特性が得られることがわかった。 2)ポリイミド基板では共鳴周波数の低下を抑制する成膜条件の検討が必要であり,Ti下地層にはμ_r'/μ_r"の改善効果があることがわかった.

机译：（CoFeB） - （SiO_2）薄膜在玻璃基板和聚酰亚胺底物上制造，并检查这些高频渗透性特征以获得以下发现。 1）渗透性特性取决于膜厚度，发现可以在0.1至0.5μm的厚度下获得有效的低损耗特性。 2）在聚酰亚胺基板中，必须研究膜形成条件以抑制共振频率的降低，并且发现Ti基层具有μ_r'/μ_r的改善效果。

著录项

来源
《日本応用磁気学会誌》 |2001年第2期|共4页
作者
宗像誠; 本山真潮; 八木正昭;
展开▼
作者单位

崇城大学·エネルギーエレクトロニクス研究所;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类电磁学、电动力学;
关键词
(CoFeB)-(SiO_2) film; high resistivity; permeability; loss factors tandelta; 1 GHz;

机译：（CoFeB） - （SiO_ 2）薄膜;高电阻率;渗透率;损失因素Tan Delta;1 GHz;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響 [J] . 宗像誠, 本山真潮, 八木正昭日本応用磁気学会誌 . 2001,第4a2期

机译：（CoFeB）-（SiO_2）基高电阻膜，膜厚度对导磁率的影响以及基片的作用
2. 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁壁電流駆動現象における積層膜厚および膜厚比率依存性 [J] . 上田浩平, 小山知弘, 千葉大地, 日本磁気学会学術講演概要集 . 2010,第34期

机译：垂直磁各向异性Co / Ni细线的磁壁电流驱动现象对叠层膜厚和膜厚比的依赖性
3. 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁壁電流駆動現象における積層膜厚および膜厚比率依存性 [J] . 上田浩平, 小山知弘, 千葉大地, 日本磁気学会学術講演概要集 . 2010,第34期

机译：层压体的厚度和具有垂直磁各向异性厚度比率依存性在钴/镍细线的畴壁当前驾驶行为
4. 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁壁電流駆動現象における積層膜厚および膜厚比率依存性 [C] . 上田浩平, 小山知弘, 千葉大地日本磁気学会学術講演会 . 2010

机译：层压膜厚度和薄膜厚度比依赖于域壁电流驱动现象的CO / Ni薄导线具有垂直磁各向异性
5. ニテラ原形質膜の興奮におけるゲーティングの遅れの電気生理学的研究 [D] . 廣野, 力 1983

机译：Nittella质膜激发门控延迟的电生理研究。
6. 分子線蒸着法によるCu薄膜の作製および構造・電気抵抗の膜厚依存性 [O] . 大谷豊 2016

机译：分子束蒸发法制备Cu薄膜及其膜厚与结构和电阻的关系

(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅